[发明专利]一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法无效
| 申请号： | 03123567.0 | 申请日： | 2003-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1553222A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张晓玉;潘丽;杜春雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G02B3/08 | 分类号： | G02B3/08;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘秀娟 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法，根据要求制作的微透镜阵列的尺寸设计制作二元掩模，对光刻胶进行两次涂胶，进行60℃－75℃低温、50min－90min长时间前烘，并将二元掩模经光学系统投影在经过涂胶和前烘工艺后的光刻胶上，然后采用移动掩模法进行曝光，即在曝光过程中移动掩模，再经过显影、漂洗及由70℃低温连续升温至120℃高温、90min－120min长时间后烘培，得到微透镜阵列。本发明所需的曝光时间极短(几十秒到几百秒)，比激光直写方法所需曝光时间少二至三个数量级，并且不需购置昂贵的设备，节约了制作成本，而且利用该方法制作的连续微透镜阵列，其组成微透镜阵列的透镜单元之间不存在死区，故填充因子接近100％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连续 浮雕 球面 透镜 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法，其特点在于包括下列步骤：(1)根据要求制作的微透镜阵列的尺寸设计制作二元掩模；(2)对光刻胶进行两次涂胶；(3)进行60℃-75℃低温、50min-90min长时间前烘培；(4)将二元掩模经光学系统投影在经过涂胶和前烘工艺后的光刻胶上；(5)然后采用移动掩模法进行曝光，并在曝光过程中移动掩模；(6)再经过显影、漂洗及由70℃低温连续升温至120℃高温、90min-120min长时间后烘培，得到微透镜阵列。
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