[发明专利]混合集成电路装置的制造方法无效
| 申请号： | 03123268.X | 申请日： | 2003-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1453857A | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 水谷雅彦;高草木贞道;根津元一;茂木一利;野口充 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L21/50;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮,杨梧 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种混合集成电路装置的制造方法，利用切割自一张金属衬底(10A)制造多个电路衬底(10)。且其包括：准备在表面上形成有绝缘层(11)的金属衬底(10A)的工序；在所述绝缘层(11)的表面形成多个导电图案(12)的工序；在金属衬底(10B)的反面形成格子状槽(20)的工序；在所述导电图案(12)上组装混合集成电路的工序；通过将没有驱动力的圆切割器(41)压接在金属衬底(10B)的表面的与所述槽(20)对应的位置并使其旋转，切除金属衬底(10B)的残留的厚度部分和所述绝缘层(11)，并分离单个电路衬底(10)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种混合集成电路装置的制造方法，其特征在于，包括：准备在表面上形成有绝缘层的金属衬底的工序；在所述绝缘层的表面形成多个导电图案的工序；在所述金属衬底的反面形成格子状槽的工序；在所述导电图案上组装混合集成电路的工序；通过将没有驱动力的圆切割器压接在所述金属衬底的表面的与所述槽对应的位置并使其旋转，切除所述金属衬底的残留的厚度部分和所述绝缘层，并分离单个电路衬底的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03123268.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
