[发明专利]硅－锗技术的静电放电保护硅控整流器无效
| 申请号： | 03121698.6 | 申请日： | 2003-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1482680A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 科尼利厄斯·克里斯琴·拉斯;马库·保罗·约瑟夫·默根斯;约翰·阿默;菲利普·切斯瓦夫·乔·维亚克 | 申请（专利权）人： | 萨尔诺夫公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种静电放电(ESD)保护装置(102)具有硅控整流器(SCR)(103)用以保护集成电路(IC)(100)的电路。硅控整流器(103)包括设置在基板(203)上的N－搀杂层(208)以及设置在N－搀杂层(208)上的第一P搀杂区(214)。至少一区形成阴极(124)的N+搀杂区(216)是设置在P－搀杂区上方且耦合接地(112)。该至少一第一N+搀杂区(216)、第一P－搀杂区(214)及N－搀杂层(208)形成硅控整流器(103)的垂直NPN晶体管(131)。形成阳极(122)的第二P搀杂区(212)耦合至保护垫(104)。第二P搀杂区(212)是设置在N－搀杂层(208)上方，且相对在第一P搀杂区(214)是横向设置且彼此电隔离。第二P搀杂区(212)、N－搀杂层(208)及第一P搀杂区(214)形成硅控整流器(103)的横向PNP晶体管(132)。 | ||
| 搜索关键词： | 技术 静电 放电 保护 整流器 | ||
【主权项】：
1、一种具有硅控整流器(SCR)(103)的静电放电(ESD)保护装置(102)，包含：一基板(203)；一N-搀杂层(208)，其设置在基板上方；一第一P搀杂区(214)，其设置在该N-搀杂层上方；至少一第一N+搀杂区(216)，其形成一阴极(124)，该至少一第一N+搀杂区位在第一P搀杂区上方且耦合接地(112)，其中该至少一第一N+搀杂区、第一P-搀杂区及N-搀杂层形成SCR的垂直NPN晶体管(131)：以及至少一第二P搀杂区(212)，其形成该SCR的阳极(122)，且适合耦合至一保护衬垫(104)，该至少一第二P搀杂区设置在N-搀杂层上方，且相对于第一P搀杂区是横向设置，以及与第一P搀杂区是电隔离，其中该至少一第二P搀杂区、N-搀杂层及第一P搀杂区形成SCR的横向PNP晶体管(132)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于萨尔诺夫公司，未经萨尔诺夫公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03121698.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有缩短的焊盘间距的半导体集成电路
- 下一篇：半导体集成电路装置
