[发明专利]硅光电探测器钝化方法

摘要

本发明公开了一种硅光电探测器的钝化方法，旨在提供一种既能保证器件的光灵敏度，又能保护硅光电探测器P－N结表面的钝化方法。其技术方案的要点是改进现有的表面钝化工艺，使平面结构器件光刻版光刻后仅在P－N结的环形表面结覆盖钝化胶膜。使用本发明的钝化方法不仅减小暗电流，提高器件的光灵敏度，而且还大大提高了器件的稳定性和可靠性。

主权项

1.一种硅光电探测器钝化方法，其特征是，它包括下列步骤：(1)使用有机溶剂清洗芯片；(2)在上述芯片表面涂PA胶膜；(3)将上述芯片进行预烘；(4)在上述芯片PA胶膜上涂光刻胶；(5)将上述芯片进行前烘；(6)上述芯片盖上光刻后只保留表面P-N结上环形PI胶的光刻板进行曝光；(7)将上述芯片进行显影；(8)将上述芯片加热坚膜；(9)腐蚀无光刻胶保护的PA胶膜；(10)对芯片表面剩余的PA胶膜预亚胺化、亚胺化；(11)去掉PI胶表面的光刻胶。