[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03120531.3 | 申请日： | 2003-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1445838A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | 钵嶺清太;清水昭博;大木長斗司;酒井哲;山本直樹 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此提供一种制造具有分别形成在半导体基片上的n型FET和p型FET的半导体器件的方法，其中包括：(a)在所述n型FET和p型FET上形成第一绝缘膜，用于在沟道形成区中产生伸张应力，以覆盖所述晶体管的栅极，并且用一个绝缘膜覆盖所述p型FET的栅极和所述半导体基片的元件隔离区之间的半导体区域；(b)通过蚀刻有选择地从所述p型FET的上表面除去所述第一绝缘膜；(c)在所述n型FET和所述p型FET上形成第二绝缘膜，用于在所述p型FET的沟道形成区中产生压缩应力，以覆盖所述晶体管的栅极；以及(d)有选择地除去在n型FET上的第二绝缘膜。本发明可以同时增加n型FET和p型FET的漏极电流(提高电流驱动能力)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有分别形成在半导体基片上的n沟道导电型场效应晶体管和p沟道导电型场效应晶体管的半导体器件的方法，其中包括：(a)在所述n沟道导电型场效应晶体管和p沟道导电型场效应晶体管上形成第一绝缘膜，用于在沟道形成区中产生伸张应力，以覆盖所述晶体管的栅极，并且用一个绝缘膜覆盖所述p沟道导电型场效应晶体管的栅极和所述半导体基片的元件隔离区之间的半导体区域；(b)通过蚀刻有选择地从所述p沟道导电型场效应晶体管的上表面除去所述第一绝缘膜；(c)在所述n沟道导电型场效应晶体管和所述p沟道导电型场效应晶体管上形成第二绝缘膜，用于在所述p沟道导电型场效应晶体管的沟道形成区中产生压缩应力，以覆盖所述晶体管的栅极；以及(d)有选择地除去在n沟道导电型场效应晶体管上的第二绝缘膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社，未经株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03120531.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固态继电器
- 下一篇：嵌入许可的机器标识的内容的分配系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
