[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 03120402.3 | 申请日： | 2003-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1449001A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 野竹秀典;大西照人;浅井明;青木成刚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。目的在于：在包含Si和Si以外的IV族元素的半导体器件的制造方法下，抑制为污染物质的Si以外的IV族元素给半导体器件造成的污染、二次污染。靠外延生长形成含污染物质的Si/SiGe膜以后，马上通过湿蚀刻来将形成在半导体衬底背面的Si/SiGe膜除去。或者是，在容器内对Si/SiGe膜进行了伴随加热的处理后，再利用该容器让晶圆空走。借助此法，既可抑制通过夹持晶圆的台子、机器人臂或者真空钳等而发生二次污染，也可抑制不包含Si以外的IV族元素的半导体器件的制造步骤所共用的容器被污染。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包括含有Si及Si以外的IV族元素的半导体层，其特征在于：包括：在衬底的整个面上形成所述半导体层的步骤(a)；及接着所述步骤(a)，将在所述步骤(a)中所形成的半导体层中位于所述衬底背面的部分除去的步骤(b)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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