[发明专利]相移掩模无效
| 申请号： | 03120248.9 | 申请日： | 1995-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1490670A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 许翼范 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 洪玲 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种相移掩模，在相应于大圆晶片的划片线区域内具有微调型或盒套式图形，容许大圆晶体工艺处理期间精确检测光屏蔽图形和相移膜图形之间的交叠程度，从而使产品的合格率和可靠性得以改进很多。 | ||
| 搜索关键词： | 相移 | ||
【主权项】：
1.一种相移掩模，其特征在于包括：一用来在石英衬底上限定距形曝光区域的光屏蔽图形；和一在所述限定的曝光区及屏蔽光内形成的具有多个相同间距的相移膜图形，所述格栅间距起到使穿过其中的光线相互干涉的作用。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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