[发明专利]具有双隧道结的磁阻存储器件有效
| 申请号： | 03119964.X | 申请日： | 2003-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1445781A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | M·沙马;L·T·特兰 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种磁性存储器件，其包括在软参考层基础上的双隧道结单元(108，110)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隧道 磁阻 存储 器件 | ||
【主权项】：
1、一种磁性存储器件，包括：第一和第二软参考层；第一和第二阻挡层；和限定在第一和第二阻挡层之间的读出层，而第一和第二阻挡层还被第一和第二软参考层限制。
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