[发明专利]半导体器件及其制造方法、电路基板和薄膜载带无效
| 申请号: | 03119817.1 | 申请日: | 1997-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN1516250A | 公开(公告)日: | 2004-07-28 |
| 发明(设计)人: | 桥元伸晃 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01R43/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种用薄膜载带制造,封装尺寸接近芯片尺寸的半导体器件,且与半导体芯片的电极之间的连接部分不露出来的半导体器件及其制造方法。具有形成于模塑材料36的填充区域之内并接合到半导体芯片40的电极42和焊盘部分22上的连接引线24,连接到连接引线24上的电镀引线26,电镀引线26所连接的电镀电极28,且在全体都已变成为导通状态下施行电镀,直到使连接部分29进入模塑材料的填充区域内为止对连接部分29进行冲切,使连接引线24和电极42接合,填充模塑材料36。从孔32中露出来的连接引线24的端面也被模塑材料36覆盖而不露出来。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 路基 薄膜 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜载带的制造方法,在薄膜上形成导通图形,该导通图形使所具有的在要密封的预定的区域内形成并将接合到半导体芯片的电极和外部电极上的多个连接引线,连接到该连接引线上并一直形成到上述密封区域之外的至少一个电镀引线和该电镀引线所连接的电镀电极等全部都变成导通状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





