[发明专利]清洗等离子加工装置的方法有效
| 申请号: | 03119377.3 | 申请日: | 2003-03-14 |
| 公开(公告)号: | CN1445826A | 公开(公告)日: | 2003-10-01 |
| 发明(设计)人: | 高濑均;长山将之;三桥康至;中山博之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明提供一种彻底清洗等离子加工装置中待清洗元件表面上的沉积物的方法,不会有任何已经在待清洗元件表面上形成的阳极涂层或喷雾涂层的损伤。这种清洗方法包括浸入有机溶剂(例如丙酮)的化学清洗步骤(a);接着吹入压缩空气,以便去除已经由化学处理过的缓冲板(14)脱落的沉积物的步骤(b);接着,通过采用CO2鼓风装置(105)鼓风物理清除残留在缓冲板(14)边缘的沉积物,和缓冲板(14)浸入纯水(104),并给予超声振动清除保留在缓冲板(14)上的沉积物的f步骤。 | ||
| 搜索关键词: | 清洗 等离子 加工 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种通过引入至少含有氟气的加工气体进入该等离子加工衬底室,清洗形成在等离子加工装置内部元件的表面上的沉积物的方法,它依次包括,通过以清洗液接触其上有沉积物的待清洗元件预定时间,化学清除沉积物的化学清洗步骤,然后在所述的化学清洗步骤之后,通过清洗介质鼓风待清洗元件物理除去沉积物的物理清洗步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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