[发明专利]瓶型渠沟的形成方法有效
| 申请号： | 03119112.6 | 申请日： | 2003-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1531064A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 林瑄智;黄镇洲;张明成;廖显皓;陈锰宏 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种瓶型渠沟(bottle－shaped trench)的形成方法。首先，提供具有一渠沟的一基底，其中渠沟具有一上部与一下部；然后，形成一氧化层于位在下部的渠沟的周围壁上；然后，以氧化层为罩幕，对渠沟进行一氮化程序，而形成一氮化膜于位在上部的渠沟的侧壁上；然后，去除氧化层；接着，以氮化膜为罩幕，对渠沟进行一等向性蚀刻程序而形成位在下部的一空间。 | ||
| 搜索关键词： | 渠沟 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种瓶型渠沟(bottle-shaped trench)的形成方法，包括下列步骤：提供一基底；形成一渠沟于该基底中，其中该渠沟具有一上部与一下部；形成一氧化层于位在下部的该渠沟的周围壁上；以该氧化层为罩幕，对该渠沟进行一氮化程序，而形成一氮化膜于位在上部的该渠沟的侧壁上；去除该氧化层；以及以该氮化膜为罩幕，对该渠沟进行一等向性蚀刻程序而形成位在下部的一空间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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