[发明专利]复合量子阱结构高亮度GaN基蓝光LED外延片无效
| 申请号： | 03118956.3 | 申请日： | 2003-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1461060A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘明德;王怀兵;何清华;邓纲;熊建明 | 申请（专利权）人： | 方大集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 518055 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种GaN基蓝光LED外延片的生长技术，由于采用了InGaN/(InGaN，AlGaN)复合量子阱作为有源层及AlN、GaN双缓冲层生长法，制备的外延片具有高亮度及高晶体质量的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 量子 结构 亮度 gan 基蓝光 led 外延 | ||
【主权项】：
1.一种复合量子阱结构高亮度GaN基蓝光LED外延片生长技术，采用MOCVD设备，高纯H2、N2作为载气，整个生长压力控制在76-780Torr，生长步骤如下：1)0001取向蓝宝石衬底装入反应器，在H2气氛下加热至1000-1100℃烘烤20min；2)在500-1000℃对衬底(3)进行60-150s的氮化处理；3)在500-1000℃生长厚度1.0-10nm的AlN缓冲层；4)在500-600℃生长厚度10-40nm的GaN缓冲层(1)；5)在950-1100℃生长厚度0.5-2μm的GaN层；6)在950-1100℃生长厚度0.5-4μm的GaN：Si层；7)在700-900℃生长厚度50-200nm的多量子阱层(2)；8)在950-1100℃生长厚度0.1-0.5μm的GaN：Mg层；9)在N2气氛下于600-850℃退火10-60分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于方大集团股份有限公司，未经方大集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03118956.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
