[发明专利]高介电常数陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 03118801.X | 申请日： | 2003-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1438199A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 方亮;张辉;洪学鹍;孟范成;杨俊峰;袁润章;刘韩星;赵素玲 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/468;C04B35/495;C04B35/622;H01B3/12 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 张安国 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一类用于微波元器件及陶瓷电容器或温度补偿电容器的高介电常数陶瓷，该陶瓷以Ba6－x(LasNdtSmuBiy)xTi1+xNb4－xO18为主相，其中0.00≤x≤3，s+t+u+y＝1，采用相应的方法制备，本陶瓷烧结良好，高频介电常数达到50～110，损耗低，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一类高介电常数陶瓷，其特征是由氧化物形式的Ba、La、Nd、Sm、Bi、Ti、Nb组成，并以下述组成的相为主相Ba6-x(LasNdtSmuBiy)xTi1+xNb4-xO18式中，0.00≤x≤3s+t+u+y＝1
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