[发明专利]化学机械研磨垫有效
| 申请号： | 03115399.2 | 申请日： | 2003-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1521813A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈国庆;宁先捷;黄河 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;B24B37/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于化学机械研磨的研磨垫，包括基底、形成于该基底之上的多个凸出岛、及形成于该多个凸出岛之间的多个沟槽，其中，该多个凸出岛的形状及排列符合流体动力学，以致于流体流过每一凸出岛后可实质均匀地朝向二侧相邻沟槽分流。凸出岛的角落经过圆化，以进一步降低刮伤。此外，凸出岛的型态比设定在1∶2与1∶20之间，以致于研磨时能视待研磨物的表面的地形变化而弹性变形，因而实质均匀地研磨该待研磨表面。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 | ||
【主权项】：
1.一种用于化学机械研磨的研磨垫，包括：基底；多个凸出岛，形成于该基底之上；及多个沟槽，形成于该多个凸出岛之间，其中，该多个凸出岛的形状及排列符合流体动力学，以致于流体流过每一凸出岛后可实质均匀地朝向二侧相邻沟槽分流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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