[发明专利]金属——绝缘——石墨化碳场效应管无效
| 申请号： | 03114425.X | 申请日： | 2003-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1516286A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 杨金玉 | 申请（专利权）人： | 杨金玉 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明是一种电压控制的大功率开关管，属电力电子器件，英文简称MICFET。原理上与目前广泛使用的半导体场效应管MOSFET一样，都是利用栅极静电场夹断导电沟道，所不同是本发明采用石墨化碳纤维(或热分解碳膜)取代半导体，作导电沟道。因此，它具有易控制，开关动作快，耐高压，导通电阻非常小，工作温度高的特点。特别适合电力电子系统应用。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘 石墨 场效应 | ||
【主权项】：
1.一种包括场效应功率器件及其驱动电路。其特征在于：a.场效应功率器件采用金属—绝缘—石墨化碳(MICFET)结构，其中石墨化碳为其导电沟道。b.对于石墨化碳。在多束纤维捆绑式场效应管中，采用碳纤维作导电沟道；在多层叠片电容式场效应管中，采用热分解碳膜作导电沟道。c.在MICFET整体结构上，只在石墨化碳导电沟道的两端各做一个MICFET基本单元，中间一段仍是石墨化碳沟道。在要求导通电阻特别小的应用场合，中间段用包裹Al2O3的铝纤维束替代碳纤维束。
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