[发明专利]一种场发射显示器的制作方法有效
| 申请号： | 03114064.5 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1532866A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;H01J9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种场发射显示器的制作方法，其包括如下步骤：(1)提供一种工作板；(2)根据预定的显示点阵在工作板上沉积栅极电极；(3)在栅极上形成一层绝缘介质膜；(4)在绝缘介质膜上沉积催化剂层；(5)根据上述预定的显示点阵在催化剂层上形成绝缘层，使该绝缘层的相应于显示点阵的位置留有一空间；(6)通过化学气相沉积法在上述绝缘层的空间内，催化剂层上生长碳纳米管阵列；(7)在碳纳米管阵列上沉积阴极电极；(8)封装阴极电极并去除工作板；(9)用湿法刻蚀工艺去除绝缘层；(10)与带有阳极电极的荧光屏封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 显示器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作场发射显示器的方法包括如下步骤：(1)提供一种工作板；(2)根据预定的显示点阵在工作板上沉积栅极电极；(3)在栅极上形成一层绝缘介质膜；(4)在绝缘介质膜上沉积催化剂层；(5)根据上述预定的显示点阵在催化剂层上形成绝缘层，使该绝缘层的相应于显示点阵的位置留有一空间；(6)通过化学气相沉积法在上述绝缘层的空间内，催化剂层上生长碳纳米管阵列；(7)在碳纳米管阵列上沉积阴极电极；(8)封装阴极电极并去除工作板；(9)用湿法刻蚀工艺去除绝缘层与显示点阵相应的部分；(10)与带有阳极电极的荧光屏封装。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03114064.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种生长碳纳米管的方法
- 下一篇：水处理系统紫外灯的电压转换器
