[发明专利]用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法无效
| 申请号： | 03111918.2 | 申请日： | 2003-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1439750A | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 卢霏;胡卉;陈峰;王雪林;王克明 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B31/22 | 分类号： | C30B31/22;C30B33/04;C30B29/30;G02B6/10 |
| 代理公司： | 济南三达专利事务所 | 代理人： | 孙君 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法，至少应包含离子注入和电子束退火等步骤。采用能量1MeV～6MeV的C+，Cu+等离子注入，注入剂量在1×1013离子/平方厘米到5×1015离子/平方厘米范围内，在注入区内造成折射率的改变，然后利用聚焦电子束或者激光束扫描，使扫描区的折射率增高，形成埋层或者沟道形式的光波导。光波导的导波模式可以由工艺参数控制。该方法的线宽可以达到纳米量级。可以制成基于条形波导结构的光器件和折射率光栅。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 退火 制备 铌酸锂 晶体 波导 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法，包括离子注入和电子束退火。其特征在于用一定能量和剂量的离子注入形成注入区的折射率改变层，再用聚焦电子束进行扫描退火，在扫描区形成埋层条形或沟道光波导。
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