[发明专利]高真空磁过滤弧源无效
| 申请号： | 03111072.X | 申请日： | 2003-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1459516A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李国卿;关秉羽;李剑锋;牟宗信 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 大连八方专利事务所 | 代理人： | 卫茂才 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高真空磁过滤弧源属于等离子体和材料表面技术领域，包括弧源屏蔽1、阴极靶2、引弧磁体3、触发机构4、水冷阳极7、主弧电源11、辅助阳极电源5、辅助阳极10、磁场线圈6、离化阳极8和离化电源9，真空度为10－1Pa～10－3Pa量级，启动触发机构4产生金属弧斑，启动辅助阳极10及电源5产生预备弧等离子体，启动主弧电源11产生稳定的等离子体，在磁场线圈6产生的磁过滤磁场的引导下经过离化电源9施加的电场的作用，二次离化和过滤金属液滴。阴极靶2由阴极、阳极与触发极组成，阳极外绕有磁场线圈6。本发明的有益效果是液滴滤除90％，真空度达到10－3Pa量级，适合于镀膜、离子注入等设备，广泛用于电子、工具、建筑玻璃和装饰的高级镀膜领域。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 过滤 | ||
【主权项】：
1、高真空磁过滤弧源，包括弧源屏蔽(1)、阴极靶(2)、引弧磁体(3)、触发机构(4)、水冷阳极(7)和主弧电源(11)，其特征在于，还包括辅助阳极电源(5)、辅助阳极(10)、磁场线圈(6)、磁离化阳极(8)和离化电源(9)，真空度为10-1Pa～10-3Pa量级，启动触发机构(4)产生金属弧斑，启动辅助阳极(10)及电源产生预备弧等离子体，启动主弧电源(11)产生稳定的等离子体，在磁场线圈(6)产生的磁过滤磁场的引导下经过离化电源(9)施加的电场的作用，二次离化和过滤金属液滴。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03111072.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
