[发明专利]半导体激光器件以及光盘再现和记录装置无效
| 申请号： | 03110719.2 | 申请日： | 2003-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN1442935A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 河西秀典;藤城芳江;蛭川秀一 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;G11B7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,侯宇 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有大于760nm且小于800nm的振荡波长、高可靠性、长工作寿命和高输出的半导体激光器件，及利用所述半导体激光器件的光盘再现和记录装置。至少第一和第二下盖层103和133、由阱层和垒层构成的的量子阱有源层105及第一和第二上盖层107和109层叠在GaAs衬底上。阱层和垒层由InGaAsP制成，阱层的总层厚d为160，假定阱层的层厚是d且阱层的每一层的光限制因数是Γ，那么Γ/d不小于2.2×10－4－1。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 以及 光盘 再现 记录 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，其由在GaAs衬底上层叠的至少一第一导电型下盖层、一包括阱层和垒层的量子阱有源层和一第二导电型上盖层构成，并具有大于760nm且小于800nm的振荡波长，其中该阱层和垒层由InGaAsP、InGaP或GaAsP制成，以及假定该阱层的层厚是d且阱层的每一层的光限制因数是Γ，那么Γ/d不小于2.2×10-4-1。
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