[发明专利]高级硅烷组合物及使用该组合物的硅膜形成方法无效
| 申请号： | 03110610.2 | 申请日： | 2003-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1457085A | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | 青木敬;古沢昌宏;松木安生;岩沢晴生;竹内安正 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社;日商捷时雅股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;H01L21/205;H01L31/04;C23C18/00;C01B33/00;C01B33/107 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高级硅烷组合物，其特征在于其中含有经对具有光聚合性的硅烷化合物的溶液或具有光聚合性的液体硅烷化合物照射紫外线光聚合而成的高级硅烷化合物。而且本发明还提供一种硅膜的形成方法，其特征在于将上述高级硅烷组合物涂布在基板上。上述高级硅烷组合物由于含有分子量更大的高级硅烷化合物，所以从在基板上涂布时的湿润性、沸点和安全性的观点来看，能够特别容易形成优质硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 高级 硅烷 组合 使用 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高级硅烷组合物，其特征在于其中含有通过对具有光聚合性的液体硅烷化合物，照射紫外线光聚合而成的高级硅烷化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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