[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 03110564.5 | 申请日: | 2003-04-10 |
公开(公告)号: | CN1459860A | 公开(公告)日: | 2003-12-03 |
发明(设计)人: | 牧康彦 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/525;H01L21/82;H01L21/768;B23K26/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 朱海波 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种具有用于修复在制造之后发现的存储器缺陷的激光可编程熔丝的半导体器件,其中护圈和熔丝图案被设计为占用较少的芯片空间。该半导体器件具有与一个矩形护圈的纵轴平行延伸的熔丝图案,以及从该熔丝图案分支并且在与该轴的方向相垂直地从该护圈引出的图案。该半导体器件还具有多个存储单元阵列,每个存储单元阵列连接到一个用于接收和发送存储器信号的I/O端口。这些阵列之一被作为用于修复目的的存储单元阵列。该器件进一步具有开关电路,用于切换该I/O端口和存储单元阵列之间的连接,选择该I/O端口的缺陷存储单元阵列或包括冗余存储单元在内的它们的相邻存储单元阵列。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种具有用于修复所发现的缺陷的熔丝的半导体器件,其中包括:护圈;在与护圈的纵轴相平行方向上延伸的熔丝图案;从所述熔丝图案分支并且在与所述护圈的纵轴相垂直的方向上引出所述护圈的多个(n)分支图案;多个(n+1)个存储单元阵列,第(n+1)个单元阵列为冗余存储单元阵列;多个(n)用于接收和发送存储器信号的输入/输出端口;多个(n)开关电路,其通过所述多个分支图案连接到在所述熔丝图案上的不同点,其切换所述输入/输出端口与存储单元阵列之间的连接,第i个开关个电路(i=1...n)根据所述熔丝图案是否被烧断而选择第i个存储单元阵列或第(i+1)个存储单元阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的