[发明专利]半导体存储装置无效
申请号: | 03110499.1 | 申请日: | 2003-04-14 |
公开(公告)号: | CN1476097A | 公开(公告)日: | 2004-02-18 |
发明(设计)人: | 古贺刚;石垣佳之;芦田基;牧幸生;藤井康博;细川智广;寺田隆司;出井诚;增田泰一 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;G11C11/40;G11C11/41 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种将蓄积作为二进制信息的电荷的电容器和控制电荷在电容器上进出的存取晶体管作为主存储部分,同时不需要更新的半导体存储装置。它包括位于半导体基板(1)上方的、保持对应于由二进制信息表示的存储信息的逻辑电平的电荷的、有存储结点(30)的电容器(32),位于半导体基板表面的、控制电容器上蓄积的电荷的进出的存取晶体管(T5、T6),以及位于半导体基板上的维持电容器的存储结点电位的闩锁电路;构成闩锁电路的电路元件(T1、T2、T3、T4、R1、R2)中的至少一个位于存取晶体管的上方。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其中设有:位于半导体基板上方的、有存储结点的、并能保持对应于二进制信息的逻辑电平的电荷的电容器,位于所述半导体基板的表面并控制在所述电容器中蓄积的电荷的进出的存取晶体管,以及位于所述半导体基板上的、维持所述电容器的存储结点的电位的闩锁电路;构成所述闩锁电路的电路元件中至少有一个位于所述存取晶体管的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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