[发明专利]半导体开关电路装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03110488.6 | 申请日： | 2003-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1455458A | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | 浅野哲郎;榊原干人 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L27/04;H03K17/16;H03K17/693;H04B1/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹,邵亚丽 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体开关电路装置及其制造方法。在以往的化合物半导体开关电路装置中，高频信号会通过模制树脂而泄漏，从而引起隔离恶化。本发明的半导体开关电路装置在FET的周围设置台柱，在FET上设置由台柱支承的屏蔽金属。由于FET和屏蔽金属的间隔距离小，故当进行通常的树脂模制时，树脂不会进入该空间，FET之上形成中空。也就是说，FET和树脂由屏蔽金属屏蔽，FET的IN－OUT之间由介电常数高的空气屏蔽，所以可防止高频信号的泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体开关电路装置，包括：至少一个FET，在半导体衬底表面上设置有源电极、栅电极及漏电极；电极焊盘，与下述端子分别对应，所述端子是，至少一个连接在上述FET的源电极或漏电极上的输入端子，至少一个连接在上述FET的漏电极或源电极上的输出端子，及将DC电位施加在上述FET上的端子；其特征在于，还包括：台柱，其设在上述FET的周围；金属层，由上述台柱支承并至少实质性覆盖在上述FET之上；以及树脂层，覆盖集成了上述FET的芯片。
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