[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 03110224.7 | 申请日： | 2003-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1450667A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 菅原秀人;渡边幸雄;阿部洋久;绀野邦明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高亮度半导体元件及其制造方法。一种半导体元件的制造方法，具有以下步骤：在具有第1面和与第1面相对且面积比上述第1面小的第2面的GaP衬底的上述第1面上，形成发射能透过上述GaP衬底的波长λ的光的发光层；在上述GaP衬底，形成朝上述第2面变窄、相互以大致相等的角度倾斜的多个侧面；及在上述多个侧面形成高度不小于0.1λ、不大于3λ的多个凹凸。还提供一种通过该方法得到的半导体发光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，具有：发光层，其通过电流的注入发射波长λ的光；及GaP衬底，其对于上述波长λ的光具有透光性，具有：第1面，设有上述发光层；第2面，与上述第1面相对，具有比上述第1面小的面积；及侧面，分别朝上述第2面变窄而倾斜，向外部射出来自上述发光层的光的一部分，在表面形成多个凹凸。
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