[发明专利]像素结构及其制造方法有效
| 申请号： | 03109606.9 | 申请日： | 2003-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1536418A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 来汉中 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种像素结构及其制造方法，其中的制造方法是将像素结构中薄膜晶体管的信道层以及汲极设置在扫描配线的上方，且不超出扫描配线，藉以降低信道层的光漏电问题，并且使薄膜晶体管制程中当第一金属层与第二金属层之间发生对准不佳时，闸极与汲极间的寄生电容仍不会发生改变。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种像素结构，包括：一配置在一基板上的扫描配线；一配置在该基板上，并覆盖所述扫描配线的闸介电层；一配置在所述扫描配线上方的所述闸介电层上的信道层；一配置在所述闸介电层上的数据配线；一配置在该基板上方，并覆盖住所述扫描配线和所述数据配线的保护层；一配置在所述保护层中，且与一汲极电性接触的接触窗，以及一配置在所述保护层上，且藉由所述接触窗与所述汲极电性连接的像素电极，其特征在于还包括：一配置在所述信道层上的非封闭环状源极；所述汲极配置在所述信道层上，并位于该非封闭环状源极的内部，其中所述信道层、该非封闭环状源极、所述汲极以及位于所述信道层下方的所述扫描配线构成一薄膜晶体管；所述数据配线还与该非封闭环状源极电性连接；所述保护层还覆盖住所述薄膜晶体管。
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