[发明专利]制造纳米器件的方法有效
| 申请号： | 03109529.1 | 申请日： | 2003-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1535915A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 刘明;陈宝钦;徐秋霞;郑英葵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 10002*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制造纳米器件的方法，其特征在于，包括：制备电子束和光学曝光机的套刻检测标记掩膜版；基片涂PMMA抗蚀剂；前烘；电子束曝光；显影MIBK∶IPA＝1∶3，时间为1分钟，再在IPA溶液中定影30秒；蒸发或溅射金属；在丙酮溶液中进行剥离；第二次涂电子束抗蚀剂，胶厚200－250nm；前烘；用电子束探测标记边缘的背散射电子的方法，检测基片上的整片标记和每个管芯的小标记，根据测量的值进行修正；二次电子束曝光，加速电压50KV，剂量500uC/cm2，束流100PA；显影MIBK∶IPA＝1∶3，时间为1分钟，再在IPA溶液中定影30秒；光学曝光制作器件的其它图形，最终形成纳米量级器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造纳米器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)制备电子束和光学曝光机的套刻检测标记掩膜版；(2)基片涂PMMA抗蚀剂；(3)前烘；(4)电子束曝光；(5)显影MIBK∶IPA＝1∶3，时间为1分钟，再在IPA溶液中定影30秒；(6)蒸发或溅射金属；(7)在丙酮溶液中进行剥离；(8)第二次涂电子束抗蚀剂，胶厚200-250nm；(9)前烘；(10)用电子束探测标记边缘的背散射电子的方法，检测基片上的整片标记和每个管芯的小标记，根据测量的值进行修正；(11)二次电子束曝光，加速电压50KV，剂量500uC/cm2，束流100PA；(12)显影MIBK∶IPA＝1∶3，时间为1分钟，再在IPA溶液中定影30秒；(13)光学曝光制作器件的其它图形，最终形成纳米量级器件。
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