[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 03108827.9 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1447485A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 户田忠夫;山口勤;畑雅幸;野村康彦 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈剑华 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。该方法具有浸蚀由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面的工序和在该浸蚀过的第1半导体层背面上形成n侧电极的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物系半导体元件的制造方法，它具有：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行浸蚀的工序，随后在上述浸蚀过的第1半导体层的背面上形成n侧电极的工序。
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