[发明专利]对虚拟接地非易失内存阵列编程而不干扰相邻单元的设备及方法

摘要

一种虚拟接地非易失存储单元阵列是由被排列成行与列、以便形成一阵列的多个相邻的非易失存储单元所形成。每一个非易失存储单元由一个带有被形成在二绝缘层间的一陷获层的N信道金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)所形成。在擦除状态之中，陷获层储存了一定量的电子。用于对虚拟接地非易失内存阵列进行编程的方法亦被揭示。被施加到阵列中的位线以及字线的电位被预先设定，用以对非易失存储单元编程，并且不会扰动邻近于将要进行编程的非易失存储单元的单元。

主权项

1、一种虚拟接地非易失存储单元阵列，其包括有：多个被排列成行与列以便形成该阵列的相邻非易失存储单元；其中，该挥发性存储单元的每一个还包括有：一个栅极；一个源极；一个漏极；一个被形成在该源极与该漏极之间的沟道区；被形成在该沟道区上的两个绝缘层；以及一个被形成在这些绝缘层之间的陷获层；其中，针对一擦除状态而言，该陷获层储存有一定量的电子。