[发明专利]磁存储装置的制造方法无效
| 申请号： | 03108386.2 | 申请日： | 2003-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1448947A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 天野実;岸达也;斉藤好昭;上田知正;與田博明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种写入布线开关电流小、离散小的磁存储装置，包括步骤：形成磁阻效应元件；形成第1绝缘膜使其覆盖上述磁阻效应元件；形成被覆膜使其覆盖上述第1绝缘膜；使上述磁阻效应元件的上面露出；在上述磁阻效应元件上形成上部写入布线；采用除去上述被覆膜的一部分或全部的方式使上述磁阻效应元件侧部的上述第1被覆膜露出；以及形成磁轭构造部件使其覆盖上述上部写入布线的至少侧部，同时与露出的上述第1绝缘膜接连。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁存储装置的制造方法，其特征是包括：形成磁阻效应元件的步骤；形成第1绝缘膜使其覆盖上述磁阻效应元件的步骤；形成被覆膜使其覆盖上述第1绝缘膜的步骤；使上述磁阻效应元件的上面露出的步骤；在上述磁阻效应元件上形成上部写入布线的步骤；采用除去上述被覆膜的一部分或全部的方式，使上述磁阻效应元件侧部的上述第1被覆膜露出的步骤；以及形成磁轭构造部件，使其覆盖上述上部写入布线的至少侧部，同时与露出的上述第1绝缘膜接连。
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