[发明专利]一种双极型晶体管及应用它的半导体装置有效
| 申请号： | 03108287.4 | 申请日： | 2003-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1447442A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 樱木正广 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双极型晶体管及应用它的半导体装置，提供了一种集电极－发射极之间的饱和电压低、尺寸小、采用少的工序数就能够制成的双极型晶体管及将这种双极型晶体管和MOS晶体管(场效应管)一起形成在同一块的衬底之上的半导体装置。由如环形包围NPN型晶体管10基区13那样为降低集电极－发射极之间的饱和电压VCE(sat)而形成高浓度区15，这种高浓度区15不必要形成达到埋层11的那样的深度，这样就能够使得沿着横向的扩展变小。并以与NPN型晶体管10在同一个硅片衬底30上形成NMOS晶体管20的源区24及漏区25的同时、在同一工序中就能够形成高浓度区15，所以，这就可以省去为形成高浓度区15的专用的扩散工序，以少的工序数就能够制造出半导体装置1。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双极型 晶体管 应用 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种双极型晶体管，在该双极型晶体管的集电区形成基区、在该基区之内形成发射区，其特征在于：几乎环形包围了上述基区，为了降低集电极-发射极之间的饱和电压而形成了高浓度区。
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