[发明专利]集成电路护层及其制造方法有效
| 申请号： | 03107922.9 | 申请日： | 2003-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1532914A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 赵灿辉;洪天爵;吴雅雯;李世平;曾守亿 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/31;H01L21/768;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路护层的结构，其形成于一具有组件的基底上，其包括：形成于基底上的UV氮化硅层(UVSiN)；形成于氮化硅层上的无掺杂硅玻璃层；以及形成于无掺杂硅玻璃层上的氮氧化硅层。其中，无掺杂硅玻璃层是以次常压化学气相沉积法(SACVD)形成的，而氮氧化硅层是以电浆化学气相沉积法(PECVD)形成的。本发明省去了固化程序，解决了Q－time的问题，具有简化制程、降低生产成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路护层(passivation)的制造方法，包括以下的步骤：提供一基底(substrate)，其中，该基底上已形成有一金属内联机；于该基底上形成一个氮化硅层(SiN layer)；于该氮化硅层上形成一无掺杂硅玻璃层(SAUSG layer)；以及于该无掺杂硅玻璃层上形成一氮氧化硅层(SiON layer)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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