[发明专利]无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法无效
| 申请号： | 03107705.6 | 申请日： | 2003-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1534751A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 崔利杰;曾一平;王保强;朱战平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法，包括：采用相同工艺对一系列不同结构的晶体管材料进行器件制备，根据器件结果选取最优的晶体管外延材料；将所确定的外延材料在一确定温度T下做PL谱实验，找出沟道层的2DEG的导带电子第一二子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰的能量位置和发光峰的强度比Ie2－hh1/Ie1－hh1及相应峰值的半高宽；按所确定的外延材料批量生产，使用PL谱方法在温度T下检测这些材料，如果这些材料的能级位置，发光峰的强度比Ie2－hh1/Ie1－hh1及相应峰值的半高宽与已定标的PL谱各项指标相比偏差小于20％，则判定材料合格，可以进行器件制作；如检测结果与定标的结果偏差大于20％，则判定材料不合格。 | ||
| 搜索关键词： | 破坏性 检测 电子 迁移率 晶体管 外延 材料 性能 方法 | ||
【主权项】：
1、一种无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)采用相同工艺对一系列不同结构的晶体管材料进行器件制备，根据器件结果选取最优的晶体管外延材料；(2)将步骤(1)所确定的外延材料在一确定温度T下做光致发光谱实验，找出沟道层的二维电子气的导带电子第一二子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰的能量位置和发光峰的强度比Ie2-hh1/Ie1-hh1及相应峰值的半高宽；(3)按步骤(1)所确定的外延材料批量生产，使用PL谱方法在温度T下检测这些材料，如果这些材料的能级位置，发光峰的强度比Ie2-hh1 /Ie1-hh1及相应峰值的半高宽与已定标的光致发光谱各项指标相比偏差小于20％，则判定材料合格，可以进行器件制作；如检测结果与定标的结果偏差大于20％，则判定材料不合格。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03107705.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
