[发明专利]形成半导体镶嵌结构的蚀刻制程

摘要

本发明揭示一种新的形成镶嵌结构的蚀刻方法。本发明包含：进行一破除制程以去除残留于硬遮层表面的聚合物残余物质与氧化物质，其中，破除制程是使用具有碳氟比的气体(CFx－based)，例如，Ar/O₂/CF₄，轻微地冲刷硬遮层的顶部表面以去除残留的聚合物残余物质与氧化物质。随后，进行一蚀刻制程以蚀穿硬遮层直到介电层的一预定厚度为止。最后，进行另一蚀刻制程以蚀穿硬遮层与介电层，并形成镶嵌结构于介电层中，其中，此蚀刻制程是使用含氯的混合气体，例如，具有Cl₂/O₂的混合气体。

主权项

1.一种沟槽结构的形成方法，其特征在于，包含下列步骤：提供一半导体底材；依序形成一碳硅化物层与一硅氧化物层于该半导体底材上；蚀刻该硅氧化物层直到暴露该碳硅化物层的部分表面为止，并形成一开口于该碳硅化物层上；进行一破除制程以去除残留于该碳硅化物层与该硅氧化物层表面的聚合物残余物质与氧化物质；藉由该硅氧化物层当成蚀刻罩幕进行一蚀刻制程以蚀刻该碳硅化物层直到暴露该半导体底材的表面为止；与移除该硅氧化物层以形成一沟槽结构于该半导体底材上。