[发明专利]形成铝金属引线的方法有效
| 申请号： | 03107338.7 | 申请日： | 2003-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1503344A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李钟鸣;朴仁善;李絃德;全宗植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在一衬底的一接触孔或沟槽中选择性地形成铝引线。在一衬底的主表面和该接触孔或沟槽的内表面上形成一含氮的中间层。对该中间层的位于该衬底主表面上的一第一表面部分利用等离子体进行处理，以在该中间层的该第一表面部分形成一钝化层。然后，在没有插入的真空间歇的情况下，仅在该中间层的位于该接触孔或沟槽的内表面上的一第二表面部分化学汽相沉积一铝膜。对该中间层的该第一表面部分的所述利用等离子体的处理抑制了在该中间层的该第一表面部分上的铝膜的化学汽相沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金属 引线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在一衬底的一接触孔或沟槽中形成铝引线的方法，其中，该衬底包括一上主表面，以及该接触孔或沟槽由一在该衬底的该上主表面下延伸的内表面定义，所述方法包括：在一衬底的主表面和该接触孔或沟槽的内表面上形成一含氮的中间层；对该中间层的位于该衬底的主表面上的一第一表面部分利用等离子体进行处理，以在该中间层的该第一表面部分形成一钝化层；以及仅在该中间层的位于该接触孔或沟槽的内表面上的一第二表面部分上化学汽相沉积一铝膜，其中，对该中间层的该第一表面部分的所述利用等离子体的处理抑制了在该中间层的该第一表面部分上的铝膜的化学汽相沉积；其中，所述利用等离子体的处理和所述化学汽相沉积在没有插入的真空间歇的情况下实施。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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