[发明专利]氧化硅薄膜的制造方法无效
| 申请号： | 03107331.X | 申请日： | 2003-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1532897A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 林辉巨 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/473 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化硅薄膜的制造方法，其应用于多晶硅薄膜晶体管工艺，其先以等离子体辅助化学气相沉积系统于衬底完成沉积非晶硅薄膜的步骤之后，再对非晶硅膜提供含氧等离子体，对其表面施以含氧元素的等离子体处理，使非晶硅膜形成表面氧化层，此方法能减少工艺所需花费的时间，进而减少工艺的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化硅薄膜的制造方法，其应用于多晶硅薄膜晶体管的工艺，其步骤包括：提供一等离子体辅助化学气相沉积系统；提供一绝缘衬底，其设于该等离子体辅助化学气相沉积系统内；以等离子体辅助化学气相沉积方法于该绝缘衬底表面形成一非晶硅膜；以及对该非晶硅膜施以含氧元素的等离子体表面处理，使该非晶硅膜产生一表面氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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