[发明专利]用于半导体制造的双层光阻制造方法有效
| 申请号： | 03107271.2 | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1469426A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 丁坤山 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/26 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体制造的双层光阻制造方法。首先，在基底上提供一层待蚀刻层，之后在其上覆盖一层底部含硅的光阻层，并烘烤此底部含硅光阻层。对底部含硅光阻层进行处理，以在其表面形成一氧化硅层。之后，在氧化硅层上覆盖一层顶部光阻层，并烘烤顶部光阻层。接着对顶部光阻层进行曝光和显影，以于其中形成图案；之后，将此图案转移至氧化硅层和底部含硅光阻层中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 双层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体制造的双层光阻制造方法，其特征在于，包括：在一基底上提供一待蚀刻层；在该待蚀刻层上覆盖一底部含硅光阻层；烘烤该底部含硅光阻层；处理该底部含硅光阻层，以在该底部含硅光阻层表面形成一氧化硅层；在该氧化硅层上覆盖一顶部光阻层；烘烤该顶部光阻层；将该顶部光阻层曝光和显影，以在该顶部光阻层中形成一图案；以及转移该图案至该氧化硅层和该底部含硅光阻层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
