[发明专利]二极管的制造方法与结构有效
| 申请号： | 03106857.X | 申请日： | 2003-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1527367A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 李英信;杨胜捷;石安;柯明道;曾当贵;邓志刚 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/328 | 分类号： | H01L21/328;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种二极管的制造方法与结构。此二极管用于采用薄膜晶体管工艺的静电放电防护电路。其工艺包括下列步骤：形成半导体层于衬底上。于半导体层中形成具第一载流子浓度的第一区域。于半导体层中形成具第二载流子浓度的第二区域。形成绝缘层于半导体层上。蚀刻绝缘层以形成至少一接触窗。以及形成金属层于绝缘层上。其中，接触窗暴露出半导体层一部分的上表面，金属层填入接触窗以接触半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 制造 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在一衬底上形成一二极管的方法，包括：形成一半导体层于该衬底上；于该半导体层中形成具一第一载流子浓度的一第一区域，该第一载流子浓度为一第一导电型；于该半导体层中形成具一第二载流子浓度的一第二区域，该第二载流子浓度为一第二导电型；形成一绝缘层于该半导体层上；蚀刻该绝缘层以形成至少一接触窗；以及形成一金属层于该绝缘层上；其中，该接触窗暴露出该半导体层的一部分的上表面，该金属层填入该接触窗以接触该半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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