[发明专利]具有轻度掺杂漏极区的薄膜晶体管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 03106856.1 | 申请日： | 2003-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1527404A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 石安;孟昭宇;郭文源 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/136;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于平面显示器的薄膜晶体管结构及其制造方法，该结构包括：设置于该平面显示器的驱动电路区中的第一薄膜晶体管，其栅极导体结构的长度等于或大于其轻度掺杂漏极区域的长度加上沟道区域的长度；以及设置于该平面显示器的有源矩阵区中的第二薄膜晶体管，其栅极导体结构的长度约等于其沟道区域的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 轻度 掺杂 漏极区 薄膜晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管结构，其应用于一平面显示器上，其包括：一第一薄膜晶体管，设置于该平面显示器的一驱动电路区域，该第一薄膜晶体管的栅极导体结构的长度等于或大于其轻度掺杂漏极区域的长度加上沟道区域的长度；以及一第二薄膜晶体管，设置于该平面显示器的一有源矩阵区域，该第二薄膜晶体管的栅极导体结构的长度约等于其沟道区域的长度。
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