[发明专利]波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法

摘要

一种波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法，包括以下步骤：在n型磷化铟衬底1上外延多量子阱层结构；在多量子阱层上生长氮化硅介质膜；在多量子阱层上生长二氧化硅介质膜；快速退火；掩膜光刻；用选择腐蚀方法，去掉铟镓砷层，磷化铟层和铟镓砷磷层；在磷化铟层上掩膜光刻，开出光栅窗口，保留有源区上的磷化铟层，腐蚀掉光栅窗口中的磷化铟层，然后大面积做均匀光栅；选择腐蚀磷化铟层，然后外延光栅盖层和电极接触层；光刻出单脊形条，掩膜光刻电隔离沟，淀积二氧化硅层，在隔离沟处采用离子注入，形成高隔离电阻区；溅射P面电极和N面电极。

主权项

1、一种波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在n型磷化铟衬底1上外延多量子阱层结构；2)在多量子阱层上生长氮化硅介质膜，用干法刻蚀氮化硅，用来抑制量子阱混合的作用；3)在多量子阱层上生长二氧化硅介质膜，用湿法刻蚀，用来增强量子阱混合的作用；4)快速退火；5)掩膜光刻，保留一条氮化硅和二氧化硅介质膜，然后大面积腐蚀掉基片上的氮化硅和二氧化硅介质膜；6)用选择腐蚀方法，去掉铟镓砷层，磷化铟层和铟镓砷磷层；7)在磷化铟层上掩膜光刻，开出光栅窗口，保留有源区上的磷化铟层，腐蚀掉光栅窗口中的磷化铟层，然后大面积做均匀光栅；8)选择腐蚀磷化铟层，然后外延光栅盖层，和电极接触层；9)光刻出单脊形条，掩膜光刻电隔离沟，淀积二氧化硅层，在隔离沟处采用离子注入，形成高隔离电阻区；10)溅射P面电极和N面电极。