[发明专利]防止化学机械抛光中的凹陷和侵蚀的半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 03106424.8 | 申请日： | 2003-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1467817A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 宫嶋基守;柄沢章孝;细田勉;大塚敏志 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 第一绝缘膜形成在下层基片上，该第一绝缘膜由第一绝缘材料所制成。第二绝缘膜形成在第一绝缘膜上，该第二绝缘膜包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料。形成通过第二和第一绝缘膜的沟槽，该沟槽至少到达第一绝缘膜的中间深度。在第二绝缘膜上淀积由导电材料所制成的布线层，该布线层埋住该沟槽。对该布线层进行抛光，以把布线层遗留在该沟槽中。对该布线层和第二绝缘膜进行抛光，直到第一绝缘膜暴露出来时为止。本发明可以抑制凹陷和侵蚀的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 化学 机械抛光 中的 凹陷 侵蚀 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，其中包括如下步骤：(a)在下层基片上形成第一绝缘膜，该第一绝缘膜包括第一绝缘材料；(b)在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜，该第二绝缘膜包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料；(c)形成通过第二和第一绝缘膜的沟槽，该沟槽至少到达第一绝缘膜的中间深度；(d)在第二绝缘膜上淀积包括导电材料的布线层，该布线层埋住该沟槽；(e)对该布线层进行抛光，以把布线层遗留在该沟槽中；以及(f)对该布线层和第二绝缘膜进行抛光，直到第一绝缘膜暴露出来时为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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