[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 03106204.0 | 申请日： | 2003-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1442905A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 林正浩 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在同一衬底上具有不同驱动电压的高压晶体管和低压晶体管的半导体装置。该半导体装置包括：具有第一导电型的半导体衬底(10)；第一三重势阱(20)，其形成在半导体衬底上并包括具有第二导电型的第一势阱(22)，以及在该第一势阱内形成的具有第一导电型的第二势阱(24)；第二三重势阱(30)，其形成在半导体衬底上并包括具有第二导电型的第三势阱(32)，以及在该第三势阱内形成的具有第一导电型的第四势阱(34)；在第二势阱形成的具有第二导电型的低压晶体管(100N)；以及在第四势阱(34)形成的具有第二导电型的高压晶体管(300N)。第一三重势阱的第一势阱(22)中的杂质浓度比第二三重势阱的第三势阱(32)的杂质浓度要高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：具有第一导电型的半导体衬底；第一三重势阱，所述第一三重势阱形成在所述半导体衬底上并包括具有第二导电型的第一势阱，以及在所述第一势阱内形成的具有第一导电型的第二势阱；第二三重势阱，所述第二三重势阱形成在所述半导体衬底上并包括具有第二导电型的第三势阱，以及在所述第三势阱内形成的具有第一导电型的第四势阱；在所述第一三重势阱的所述第二势阱处形成的具有第二导电型的低压晶体管；以及在所述第二三重势阱的所述第四势阱处形成的具有第二导电型的高压晶体管，其中，所述第一三重势阱的所述第一势阱中的杂质浓度比所述第二三重势阱的所述第三势阱的杂质浓度要高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
