[发明专利]固体摄像装置有效
| 申请号： | 03106139.7 | 申请日： | 2003-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN1440078A | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 高桥秀和 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H04N5/335;G01J1/02;G03B7/099 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种固体摄像装置，降低测距用光电变换元件(AF传感器)和测光用光电变换元件(AE传感器)之间的串扰。其构成包括N型Epi层(202)、在半导体区域(202)内形成的P型第一阱区(203)、在半导体区域(202)内形成的和第一阱区电分离的P型第二阱区(203)、在第一阱区内形成的N型第一扩散区域(205)在第二阱区内形成的N型第二扩散区域(205)，用P型的第一阱区和N型的第一扩散区域中形成测光用光电变换元件(AE传感器)(103)，用P型的第二阱区和N型的第二扩散区域形成测距用光电变换元件(AF传感器)(101、102)。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】：
1.一种固体摄像装置，其特征在于具有：第一导电型的第一半导体区域，在该第一半导体区域内形成的与上述第一导电型相反的导电型的第二半导体区域，在上述第一半导体区域内形成的与该第二半导体区域电分离的第二导电型的第三半导体区域，在上述第三半导体区域内形成的第一导电型的第四半导体区域，以及在上述第三半导体区域内形成的第一导电型的第五半导体区域，且用上述第二半导体区域和上述第四半导体区域形成光电变换元件，用上述第三半导体区域和上述第五半导体区域形成光电变换元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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