[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 03105179.0 | 申请日： | 2003-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1450633A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 加美伸治;藏田和彦;杉本宝;堂前巧 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/50;H01L23/34;H01L27/15 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉,穆德骏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：绝缘柔韧薄膜，它能够改变自己的外形；第一和第二导电层，其设置在柔韧薄膜的两个表面上并构成布线图型；安装在第一导电层上的LSI；导体，其设置在柔韧薄膜中形成的孔中并使得在第一导电层中形成的布线图型和第二导电层中形成的布线图型之间相连接；一个刚性元件；和热扩散器。由每个第一导电层和第二布线图型构成的部分布线图型是用于高速信号的传导布线，它的特性阻抗被提前计算，以及一个连接部分，其被设置在用于高速信号的传导布线的一端上用于连接到母板。因此该半导体器件具有高热量排除能力而不牺牲它的电性能，并能够提高有关封装组装的封装设计中的时间效率和减少装配成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：绝缘薄膜；第一和第二导电层，它分别形成在绝缘薄膜的两个表面上并构成布线图型，这样构成所述第一和第二导电层以使形成在所述第一和第二导电层中的每个所述布线图型的一部分是用于高速信号的传导布线，基于所述传导布线的特性阻抗，考虑所述传导布线的高频特性而设计；集成电路，它安装在所述第一导电层上；和一个导体，它彼此连接形成在所述第一导电层中的所述布线图型和形成在所述第二导电层中的所述布线图型，进一步这样构成所述绝缘薄膜，以使所述绝缘薄膜的一部分被安装在用于在其上安装物体的基片上，所述部分由所述集成电路占用，并且用于进行连接到不同的基片的连接部分被设置在位于基片外部的所述绝缘薄膜的一个末端上，所述基片用于在其上安装一个物体。
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