[发明专利]形成动态准中性束方式减少各种粒子束与目标物作用时的电子激发能损的方法无效
| 申请号： | 03104832.3 | 申请日： | 2003-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN1523642A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 廖重宾 | 申请（专利权）人： | 奥博先进科技整合有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;H01L21/265;H01L21/322;H01L21/76;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成动态准中性束(dynamic quasi－neutralparticle beam)方式减少电子激发能损的方法，其是当一粒子束施加于一目标物的一选定作用区域时，外加一辅助辐射束于该作用区域，且该辅助辐射束近乎平行于粒子束。由于该外加辅助辐射束在作用区内加速传导电子(conduction electrons)或产生新的近同方向行进的传导电子，使得带电粒子束变成动态准中性粒子束，因而大幅减少粒子束与目标物作用间的电子激发能损。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 动态 中性 方式 减少 各种 粒子束 目标 用时 电子 激发 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成动态准中性束方式减少各种粒子束与目标物作用时的电子激发能损的方法，其特征在于：包括有一目标物(10)；一施加于该目标物(10)上的作用区域(11)的粒子束(20)；一外加辅助辐射束(30)于该作用区域(11)，且该辐助辐射束近乎平行于粒子束(20)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥博先进科技整合有限公司，未经奥博先进科技整合有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03104832.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
