[发明专利]多层半导体集成电路及其所使用的光罩与其制造方法有效
| 申请号: | 03104826.9 | 申请日: | 2003-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN1523659A | 公开(公告)日: | 2004-08-25 |
| 发明(设计)人: | 黄仲仁;陈昕辉;刘光文;王致皓;邱家荣 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/027;G03F1/00 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈红 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 一种多层半导体集成电路及其所使用的光罩与其制造方法,该集成电路具有多层图案结构,其中的一图案结构层具有一正式图案布局以及一虚设图案布局;本方法是先提供一正式图案布局,再配合一规则的虚设图案布局,并利用逻辑操作将此虚设图案布局与该正式图案布局连结在一起,以便将虚设图案布局增设至正式图案布局的非正式图案空间中,进而利用此融合性图案布局去制作光罩,使其可适用于不同逻辑制程的多层半导体集成电路图案结构层的图案密度变化,进而降低多层图案结构层间的密度差异;本发明利用增设虚设图案布局的方式可简化黄光制程控制并使制程较为稳定。 | ||
| 搜索关键词: | 多层 半导体 集成电路 及其 使用 与其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种半导体集成电路,具有多层图案结构,其特征是:其中的一图案结构层具有:一正式图案布局,具有复数线条,且在各线条之间具有一非正式图案空间;以及一虚设图案布局,包含有复数区块,位于该非正式图案空间中并与各相邻线条间隔一特定距离,且其中各该等区块呈拟态性规则排列于该非正式图案空间中,而在有部份拟态性规则区域落入该等线条及该特定间隔所涵盖的范围时,为该正式图案布局及该特定间隔所取代。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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