[发明专利]多层半导体集成电路及其所使用的光罩与其制造方法有效

专利信息
申请号: 03104826.9 申请日: 2003-02-20
公开(公告)号: CN1523659A 公开(公告)日: 2004-08-25
发明(设计)人: 黄仲仁;陈昕辉;刘光文;王致皓;邱家荣 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/027;G03F1/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 陈红
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种多层半导体集成电路及其所使用的光罩与其制造方法,该集成电路具有多层图案结构,其中的一图案结构层具有一正式图案布局以及一虚设图案布局;本方法是先提供一正式图案布局,再配合一规则的虚设图案布局,并利用逻辑操作将此虚设图案布局与该正式图案布局连结在一起,以便将虚设图案布局增设至正式图案布局的非正式图案空间中,进而利用此融合性图案布局去制作光罩,使其可适用于不同逻辑制程的多层半导体集成电路图案结构层的图案密度变化,进而降低多层图案结构层间的密度差异;本发明利用增设虚设图案布局的方式可简化黄光制程控制并使制程较为稳定。
搜索关键词: 多层 半导体 集成电路 及其 使用 与其 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体集成电路,具有多层图案结构,其特征是:其中的一图案结构层具有:一正式图案布局,具有复数线条,且在各线条之间具有一非正式图案空间;以及一虚设图案布局,包含有复数区块,位于该非正式图案空间中并与各相邻线条间隔一特定距离,且其中各该等区块呈拟态性规则排列于该非正式图案空间中,而在有部份拟态性规则区域落入该等线条及该特定间隔所涵盖的范围时,为该正式图案布局及该特定间隔所取代。
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