[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种在同一个衬底上形成具有不同驱动电压的高压晶体管和低压晶体管的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括(a)在具有第一导电型的半导体衬底(10)的特定区域内，通过离子注入法注入具有第二导电型的第一杂质；(b)在半导体衬底(10)的表面形成氧化膜(18)，在不含氧气的环境中，利用热处理使第一杂质扩散以形成具有第二导电型的第一势阱(20)；以及(c)在第一势阱(20)的特定区域内，借助于氧化膜(18)，通过离子注入法注入具有第一导电型的第二杂质，利用热处理使第二杂质扩散以形成具有第一导电型的第二势阱。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法包括：(a)通过离子注入法，将具有第二导电型的第一杂质注入到具有第一导电型的半导体衬底的特定区域内；(b)在所述半导体衬底的表面形成氧化膜，并且通过在不含氧气的环境中进行热处理，使所述第一杂质扩散以形成具有所述第二导电型的第一势阱；以及(c)借助于所述氧化膜，通过离子注入法，将具有所述第一导电型的第二杂质注入到所述第一势阱的特定区域内，并且利用热处理，使所述第二杂质扩散以形成具有所述第一导电型的第二势阱。