[发明专利]将数据写入光学存储介质的方法无效
| 申请号： | 03104481.6 | 申请日： | 2003-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1523582A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 赵铭阳 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B7/0045 | 分类号： | G11B7/0045;G11B20/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎;黄小临 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用光学存储装置将数据写入光学存储介质的方法，其包含有以下步骤：提供EFM波形至该光学存储装置，该EFM波形包含有前一纹间表面、当前坑区及后一纹间表面；依据该前一纹间表面、该当前坑区及该后一纹间表面的波形长度，从存储器中所存储的多组写入方案参数中选取一组写入方案参数；依据该组写入方案参数，产生写入时间长度波形；以及利用该写入时间长度波形驱动光学拾取器来将数据写入该光学存储介质。 | ||
| 搜索关键词： | 数据 写入 光学 存储 介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用光学存储装置将数据写入光学存储介质的方法，该光学存储装置包含有存储器及光学拾取器(Pickup)，该存储器中存储有多组写入方案参数，该方法包含有以下步骤：提供RLL调制波形至该光学存储装置，该RLL调制波形包含有前一纹间表面(Previous Land)、当前坑区(Current Pit)以及后一纹间表面(Next Land)；依据该前一纹间表面、该当前坑区以及该后一纹间表面的波形长度，从该存储器中所存储的多组写入方案参数中选取一组相应的写入方案参数；依据该组被选取的写入方案参数，产生写入时间长度波形；以及利用该写入时间长度波形驱动该光学拾取器来将对应于该RLL调制波形的数据写入该光学存储介质。
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