[发明专利]半导体存储装置无效
申请号: | 03104214.7 | 申请日: | 2003-01-31 |
公开(公告)号: | CN1435839A | 公开(公告)日: | 2003-08-13 |
发明(设计)人: | 东亮太郎 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11C7/00 | 分类号: | G11C7/00;G11C7/24;G11C11/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰,梁永 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的半导体存储装置是一种具有存储阵列的半导体存储装置,包括:具有读出存储于存储单元的信息之功能的读出装置;具有为了读出存储于存储单元的信息而将外部供给的电压升压并提供给存储单元之功能的升压装置;在读出周期开始后,使所述升压装置开始升压的开始控制装置;检测经所述升压装置升压后的电压是否达到读出存储于存储单元的信息所需要的规定值的状况,并且当执行该状况的检测时使所述读出装置开始读出动作的检测装置;从所述检测装置执行所述状况的检测时起,经过所述读出动作所要求的规定时间后,使所述升压装置停止升压的停止控制装置。根据该结构,半导体存储装置的用于给存储单元提供电压的升压期间缩短至必要的最小限度使之与读出动作的期间相吻合,所以与将升压期间徒劳地设定得较长相比,降低了电流消费。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种具有存储阵列的半导体存储装置,其特征在于,包括:读出装置,具有读出存储于存储单元的信息之功能;升压装置,具有为了读出存储在存储单元的信息而将外部供给的电压经升压后提供给存储单元的功能;开始控制装置,在读出周期开始后使所述升压装置开始升压;检测装置,检测经所述升压装置升压后的电压是否达到读出存储于存储单元的信息所需要的规定值的状况,在执行该状况的检测时使所述读出装置开始读出动作;停止控制装置,通过所述检测装置,从执行检测所述状况起到经过所述读出动作所要求的规定时间后使所述升压装置停止升压。
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