[发明专利]电子电路无效
| 申请号: | 03104196.5 | 申请日: | 1993-12-09 |
| 公开(公告)号: | CN1516282A | 公开(公告)日: | 2004-07-28 |
| 发明(设计)人: | 宫崎稔;A·村上;崔葆春;山本睦夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;G02F1/136;H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种在绝缘基片上形成的电子电路,它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500,例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。 | ||
| 搜索关键词: | 电子电路 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,它包括:一象素薄膜晶体管和一驱动所述象素薄膜晶体管的驱动电路,所述象素薄膜晶体管包括:第一半导体层,它至少具有第一低电阻率的杂质区和在基片上的第一高电阻率杂质区;第一栅极,它靠近所述第一半导体层,且在它们之间插入一栅绝缘膜,其中,所述第一高电阻率杂质区未覆盖所述第一栅极,和所述驱动电路包括至少一个薄膜晶体管,所述至少一个薄膜晶体管包括:第二半导体层,它至少具有第二低电阻率杂质区和在基片上的第二高电阻率杂质区;第二栅极,它靠近所述第二半导体层,且在它们之间插入一栅绝缘膜,其中,所述第二高电阻率杂质区具有一个与所述第二栅极叠置的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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