[发明专利]铁电电容元件无效
| 申请号: | 03103803.4 | 申请日: | 2003-02-11 |
| 公开(公告)号: | CN1438708A | 公开(公告)日: | 2003-08-27 |
| 发明(设计)人: | 那须彻;林慎一郎 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 一种铁电电容元件,由下部电极、铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极构成的铁电电容元件中的铁电膜具有:由Bi2O2构成的多个氧化铋层21、和由至少一个第1层(22)及至少一个第2层(23)构成的多个假钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构。第1层(22)由BO4(其中,B是5价的金属)构成,第2层(23)由(A1-xBi2x/3)B2O7(其中,A是2价的金属,B是5价的金属,x满足条件0<x<1。)构成。由此,在将具有铋层状结构的铁电膜作为电容绝缘膜使用的铁电电容元件中,可防止因泄漏电流增加和耐压降低造成的不良现象的发生。 | ||
| 搜索关键词: | 电容 元件 | ||
【主权项】:
1.一种铁电电容元件,包括下部电极、由铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极,其特征在于:所述铁电膜具有多个氧化铋层和多个假钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构;所述多个氧化铋层由Bi2O2构成;所述多个假钙钛矿层用由Am-1BmO3m+α构成的通式(1)来表示、且由m值相互不同的2种以上的层构成;其中,A是1价、2价或3价的金属,B是4价、5价或6价的金属,m是1以上的整数,在m为2以上的整数时,A之中的至少一个为Bi,α满足条件0≤α≤1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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